دانش و فناوری

تراشه 2 نانومتری GAA سامسونگ سال آینده وارد مرحله تولید انبوه می شود

تولید انبوه تراشه 2 نانومتری GAA سامسونگ به سال آینده موکول شده است. سامسونگ در سال جاری، به تولید تراشه های نسل دوم 3 نانومتری مشغول خواهد بود.
در چند سال گذشته، سامسونگ کاهش سرعت شدیدی در بخش تولید تراشه های نیمه هادی داشته است. در این مدت، هیچ شرکت بزرگ تولید تراشه (به غیر از بخش System LSI سامسونگ که تراشه های Exynos را تولید می کند) از فرآیند تولید 3 نانومتری و نسل جدید فرآیند 4 نانومتری Samsung Foundry استفاده نکرده است. با این حال، این شرکت ناامید نشده و همچنان با توسعه فرآیندهای پردازشی جدیدتر، از جمله فرآیند 2 نانومتری، به پیش می رود.

ادامه مطلب در ادامه
بیشتر بخوانید:

    کوالکام تراشه اسنپدراگون ایکس پلاس خود را با سریع ترین NPU دنیا برای لپ تاپ ها معرفی کرد
    آیفون های اپل تراشه های 2 نانومتری را قبل از گوشی های گلکسی دریافت می کنند
    سرمایه گذاری 1.66 میلیارد دلاری هواوی برای رسیدن به استقلال در توسعه تراشه
    دومین کارخانه تولید تراشه سامسونگ به زودی در ایالات متحده ساخته خواهد شد

تراشه 2 نانومتری GAA سامسونگ
اخیرا گزارش جدیدی از Business Korea منتشر شده که نشان می دهد Samsung Foundry در حال توسعه نسل بعدی فناوری Gate All Around یا همان GAA بوده و از آن در فرآیند 2 نانومتری خود استفاده خواهد کرد.

تولید انبوه این تراشه های نیمه هادی 2 نانومتری برای سال آینده برنامه ریزی شده است. طبق گزارش ها، سامسونگ در رابطه با نسل سوم فناوری GAA خود و نحوه استفاده از آن در تراشه های 2 نانومتری، در نمایشگاه VLSI Symposium 2024 سخنرانی خواهد داشت. این نمایشگاه از 16 تا 20 ژوئن 2024 در هاوایی آمریکا برگزار خواهد شد.
نمایشگاه VLSI یکی از سه کنفرانس برتر جهان درباره فناوری نیمه هادی است که در طول آن بهترین و برترین ایده ها در این زمینه مورد بحث قرار می گیرند. دو کنفرانس برتر دیگر درباره تراشه های نیمه هادی، نشست بین المللی دستگاه های الکترونیکی (IEDM) و کنفرانس بین المللی مدارهای حالت جامد (ISSCC) هستند.
مزیت نسل جدید فناوری GAA نسبت به نسل های پیشین چیست؟
فناوری GAA نوع جدیدی از طراحی ترانزیستور است که جریان در حال حرکت و راندمان توان را بهبود می بخشد. این محصول برای اولین بار همراه با نسل اول فرآیند تولید 3 نانومتری سامسونگ معرفی شد.
با این حال، تا به امروز، هیچ شرکت تولید تراشه دیگری از جمله AMD، اپل، مدیاتک، انویدیا و کوالکام در محصولات خود از آن استفاده نکرده اند. انتظار می رود که بخش System LSI سامسونگ اولین شرکتی باشد که از فرآیند 3 نانومتری Samsung Foundry برای نسل بعدی تراشه های اگزینوس مخصوص گوشی ها و ساعت های هوشمند استفاده  کند.
در مقایسه با تراشه های مبتنی بر فرآیند 5 نانومتری Samsung Foundry، تراشه های 3 نانومتری GAA کاهش 16 درصدی مساحت و 23 درصد بهبود عملکرد و 45 درصد بازده انرژی بالاتر دارند. تخمین زده می شود که نسل دوم فرآیند 3 نانومتری کاهش 35 درصدی در اندازه تراشه، 30 درصد بهبود عملکرد و 50 درصد بازده انرژی بهتر را ارائه دهد. نسل سوم GAA نیز که قرار است در تراشه های 2 نانومتری به کار گرفته شود، 50 درصد کاهش مساحت و 50 درصد عملکرد بالاتر خواهد داشت.
رقیب اصلی سامسونگ، TSMC، هنوز از فناوری Gate All Around در فرآیند تولید پیشرفته خود استفاده نکرده است. سامسونگ قصد دارد که تراشه های نسل دوم فرآیند 3 نانومتری GAA (مانند تراشه موجود در گلکسی اس 25) را در نیمه دوم سال جاری به تولید انبوه برساند. انتظار می رود که اینتل و TSMC نیز از فناوری GAA در نسل بعدی فرآیندهای 2 نانومتری خود استفاده کنند.
بیشتر بخوانید:

    غیر رسمی: سامسونگ از TPU گوگل در تراشه های هوش مصنوعی خود استفاده خواهد کرد
    دسترسی به تراشه های هوش مصنوعی آمریکایی برای چین محدودتر می شود
    تراشه هوش مصنوعی سامسونگ با نام Mach-1 در سال 2025 معرفی خواهد شد
    سود سامسونگ در فصل اول 2024 با افزایش 933 درصدی به 4.8 میلیارد دلار رسید
    احتمالا گلکسی S25 سامسونگ با هوش مصنوعی جمینی نانو 2 عرضه شود

نظر شما کاربران ای جی مارکت درباره تراشه 2 نانومتری GAA سامسونگ چیست؟ دیدگاه خود را در بخش نظرات با ای جی مارکت به اشتراک بگذارید و اخبار تکنولوژی را با ما دنبال کنید.
منبع: sammobile
  

دکمه بازگشت به بالا